射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术

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射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术

TN4/8044
关赫著
西安 西北工业大学出版社 2024
978-7-5612-9218-1
214页 26cm
射频 硅基材料 氮化镓 电子器件
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中文图书
学术研究专著
本书以行业内高阻硅基氮化镓外延和材料的丰富研究成果为基础, 以仿真设计为切入点, 并结合工艺制备, 开展了基于高阻Si (111) 衬底的基氮化镓异质结外延及相关器件的技术研究。书中对高阻硅基AlGaN/GaN质结外延材料, 高阻硅基AlGaN/GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) 射频器件, 以及高阻硅基AlInGaN/GaN外延和HEMT器件、MIS (Metal Insulator Semiconductor) 电容、二极管、压敏电阻等相关技术进行了详细的研究和阐述。
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关赫著. 射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术[M]. 西安 西北工业大学出版社 2024. 点此复制

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